据ETNews报道，近日，业界消息人士透露，台积电已成功开发并验证A16先进制程背面供电技术。

技术突破的关键在于A16仍保有台积电N2制程强化版N2P的闸极密度与NanoFlex设计弹性。报道指出，A16将供电路径完整移至芯片背面，

并通过专用接点（VB）直接连接晶体管的源极与汲极。在此架构下，台积电仅对芯片正面的闸极结构、单元尺寸及布局面积进行“最小”幅度调整，

因此仍能维持与既有芯片设计的相容性。

在能效方面，A16相较N2P，在同等功耗条件下，A16运算速度可提高8%至10%，若要维持相同速度，功耗则可降低15%至20%，同时芯片密度提升

8%至10%，尤其适合AI加速器和高性能计算等对运算效能和功耗有较高要求的芯片。

据了解，A16预计于今年四季度开始量产。

（文字来源：SEMI）